PcoreTM2 E2B 全碳化硅半桥MOSFET模块BMF240R12E2G3 BMF240R12E2C4-倾佳电子（Changer Tech）专业分销
适用于电动垂直起降飞行器eVTOL（electric Vertical Take-off and Landing，即电动垂直起降飞行器）SiC碳化硅MOSFET功率模块，飞行汽车(eVTOL)汽车级全碳化硅功率模块，eVTOL电机驱动碳化硅功率模块-倾佳电子（Changer Tech）专业分销
基本™（BASiC Semiconductor）SOT227碳化硅MOSFET模块B2M012120N
适用于液冷大型储能集中式PCS的全碳化硅MOSFET功率模块-倾佳电子（Changer Tech）专业分销
适用于液冷充电桩电源的基本™（BASiC Semiconductor）SiC碳化硅MOSFET模块-倾佳电子（Changer Tech）专业分销
适用于三相三电平维也纳PFC的基本™（BASiC Semiconductor）SiC碳化硅MOSFET模块-倾佳电子（Changer Tech）专业分销
IGBT芯片技术不断发展，但是从一代芯片到下一代芯片获得的改进幅度越来越小。这表明IGBT每一代新芯片都越来越接近材料本身的物理极限。SiC MOSFET宽禁带半导体提供了实现半导体总功率损耗的显著降低的可能性。使用SiC MOSFET可以降低开关损耗，从而提高开关频率。进一步的，可以优化滤波器组件，相应的损耗会下降，从而全面减少系统损耗。通过采用低电感SiC MOSFET功率模块，与同样封装的Si IGBT模块相比，功率损耗可以降低约70%左右，可以将开关频率提5倍（实现显著的滤波器优化），同时保持最高结温低于最大规定值。
为了保持电力电子系统竞争优势，同时也为了使最终用户获得经济效益，一定程度的效率和紧凑性成为每一种电力电子应用功率转换应用的优势所在。随着IGBT技术到达发展瓶颈，加上SiC MOSFET绝对成本持续下降，使用SiC MOSFET替代升级IGBT已经成为各类型电力电子应用的主流趋势。